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申请/专利权人：微软技术许可有限责任公司
摘要：本公开中所描述的示例涉及具有基于约瑟夫森相位的力矩的存储器单元。在一个示例中，提供了一种存储器单元，该存储器单元包括第一电感器和被耦合到第一电感器以形成回路的磁性约瑟夫森结MJJ。MJJ可以包括在非磁性层上方形成的自由磁性层、以及在非磁性层下方的固定磁性层。存储器单元的第一状态对应于自由磁性层的与固定磁性层的磁化平行的第一磁化，并且存储器单元的第二状态对应于自由磁性层的与固定磁性层的磁化反平行的第二磁化。存储器单元被配置为：基于MJJ是处于零状态还是处于π状态，从第一状态切换到第二状态。
主权项：1.一种存储器单元，包括：第一电感器；以及磁性约瑟夫森结MJJ，被耦合到所述第一电感器以形成回路，其中所述MJJ至少包括在第二层上方形成的第一层和在所述第二层下方形成的第三层，其中所述第一层是自由磁性层，所述第二层是非磁性层，其中所述第三层是固定磁性层，其中所述存储器单元被配置为处于第一状态或第二状态，并且其中所述第一状态对应于所述自由磁性层的第一磁化配置，并且所述第二状态对应于所述自由磁性层的第二磁化配置；其中所述自由磁性层的所述第一磁化配置对应于与所述固定磁性层的磁化平行的第一磁化，并且所述自由磁性层的所述第二磁化配置对应于与所述固定磁性层的磁化反平行的第二磁化，并且其中所述存储器单元被配置为响应于流动通过所述MJJ的电流，基于所述MJJ是处于零状态还是处于π状态，从所述存储器单元的所述第一状态切换到所述存储器单元的所述第二状态，其中响应于所述MJJ的超导相位从所述零状态到所述π状态的变化，流动通过所述MJJ的所述电流被配置为向所述自由磁性层的磁化施加取决于约瑟夫森相位的力矩，以引起从所述存储器单元的所述第一状态到所述存储器单元的所述第二状态的所述切换，并且其中所述电流响应于经由所述第一电感器向所述回路施加通量而被产生。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 微软技术许可有限责任公司 具有基于约瑟夫森相位的力矩的超导存储器
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