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申请/专利权人：瑞声声学科技(深圳)有限公司
摘要：本发明提供了一种MEMS密封腔结构，包括基底；上盖，盖设固定于基底并与基底共同围成空腔；泄漏孔，贯穿上盖设置，并将空腔与外界连通；密封盖板，贴合固定于上盖的外表面并完全覆盖泄漏孔，以使泄漏孔密封；密封帽，包括压设于密封盖板远离泄漏孔一侧的帽本壁以及由帽本壁向靠近上盖方向延伸并抵接固定于上盖的帽侧壁，帽侧壁呈环状并与密封盖板的周侧贴合；帽本壁沿泄漏孔的泄漏方向向上盖的正投影完全位于上盖范围内；沿垂直于泄漏方向，帽侧壁的外周侧较帽本壁的外周侧更靠近密封盖板。本发明还提升一种MEMS密封腔结构的制备方法。与相关技术相比，本发明的MEMS密封腔结构的制备方法及MEMS密封腔结构，其密封可靠性更好。
主权项：1.一种MEMS密封腔结构的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：提供基底；在所述基底的上表面沉积形成牺牲层；对所述牺牲层的周缘进行蚀刻，使所述牺牲层的周缘内缩至所述基底的范围内以形成让位空间；在所述牺牲层的上表面沉积上盖，使所述上盖经所述让位空间支撑固定所述基底，并完全贴合所述牺牲层的上表面和所述牺牲层的周侧；对所述上盖进行蚀刻使得所述上盖上形成贯穿其上的泄漏孔；释放所述牺牲层，使得所述上盖与所述基底共同围成空腔，且所述泄漏孔将所述空腔与外界连通；在所述上盖的正对所述基底的一侧的外表面沉积第一密封材料层，使得所述第一密封材料层将所述泄漏孔密封；对所述第一密封材料层进行蚀刻形成环状的分隔槽，所述分隔槽将所述第一密封材料层分隔成第一部分和环绕所述第一部分的第二部分，其中，所述第一部分充当为密封盖板并完全覆盖所述泄漏孔；在所述第一密封材料层的上面表沉积第二密封材料层，且使得所述第二密封材料层完全填充所述分隔槽；对所述第二密封材料层的周缘进行蚀刻，使所述第二密封材料层的周缘内缩至所述第二部分的范围内，且位于所述分隔槽外周外，以充当为密封帽；释放所述第一密封材料层的所述第二部分，得到所述MEMS密封腔结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 瑞声声学科技(深圳)有限公司 MEMS密封腔结构及其制备方法
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