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申请/专利权人：南京镭芯光电有限公司
摘要：本实用新型公开了一种增加光输出功率的多共振腔半导体激光芯粒结构，涉及半导体激光芯粒领域，包括芯粒，芯粒由第一金属接面层、P‑InGaAs层、主动层、p‑InP层、第一n‑InP层、第二n‑InP层、第二金属接面层组成；芯粒内部设置有若干共振腔，共振腔的外侧设置有双埋入式异质结构平台，若干共振腔的两端均设置有汇合段，汇合段与若干共振腔之间设置有过渡段。本实用新型让光子分别可在两个不同的共振腔内来回震荡，增加光子的输出，因而提高激光芯粒的光输出功率。
主权项：1.一种增加光输出功率的多共振腔半导体激光芯粒结构，包括芯粒1，其特征在于，所述芯粒1由第一金属接面层2、P-InGaAs层3、主动层4、p-InP层5、第一n-InP层6、第二n-InP层7、第二金属接面层8组成；所述第一金属接面层2的底端设置有所述P-InGaAs层3，所述P-InGaAs层3的底端设置有所述p-InP层5，所述p-InP层5的底端设置有所述第一n-InP层6，所述第一n-InP层6的中部设置有所述主动层4，所述第一n-InP层6的底端设置有所述第二n-InP层7，所述第二n-InP层7的底端设置有所述第二金属接面层8；所述芯粒1内部设置有若干共振腔9，所述共振腔9的外侧设置有双埋入式异质结构平台10，若干所述共振腔9的两端均设置有汇合段11，所述汇合段11与若干所述共振腔9之间设置有过渡段12。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京镭芯光电有限公司 一种增加光输出功率的多共振腔半导体激光芯粒结构
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