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申请/专利权人：拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
摘要：本实用新型提供了一种加热盘及一种工艺腔室。所述加热盘包括：加热盘本体，用于接触并承载待加工的晶圆；以及静电网结构，设于所述加热盘本体的内部，且其外缘轮廓在所述加热盘本体与所述晶圆的接触面的垂直投影覆盖所述晶圆，用于经由所述接触面向所述晶圆提供静电吸附力，并调节所述晶圆边缘外的电场分布。
主权项：1.一种加热盘，其特征在于，包括：加热盘本体，用于接触并承载待加工的晶圆；以及静电网结构，设于所述加热盘本体的内部，且其外缘轮廓在所述加热盘本体与所述晶圆的接触面的垂直投影覆盖所述晶圆，用于经由所述接触面向所述晶圆提供静电吸附力，并调节所述晶圆边缘外的电场分布。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司 一种加热盘及工艺腔室
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