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一种CMP工艺抛光台、装置以及工艺方法 

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申请/专利权人:成都高真科技有限公司

摘要:本发明提供了一种CMP工艺抛光台、装置以及工艺方法,所述抛光台表面分为共用旋转轴的一内一外的两个区域,均作为抛光区域,实现不同的抛光特性,两个抛光区域之间具有缝隙。本发明将抛光台分为独立的两个区域,采用不同研磨液使其具有不同的抛光特性,能够有效改进晶圆的散布。

主权项:1.一种CMP工艺抛光台,其特征在于,所述抛光台表面分为共用旋转轴的一内一外的两个区域,均作为抛光区域,实现不同的抛光特性,两个抛光区域之间具有缝隙。

全文数据:

权利要求:

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