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一种掩膜装置、掩膜装置的制作方法和光刻设备 

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申请/专利权人:深圳莱宝高科技股份有限公司

摘要:本发明涉及光刻领域,公开了一种掩膜装置,包括由相邻设置的相移区和全透区的透明底板,相移区为具有遮光层和相移层的相移单元,遮光层设置在相移层的两侧,遮光层之间的距离小于或等于相移层的宽度,且相移层的宽度小于两侧的遮光层宽度与其间隙之和,从两个遮光层两侧透过的光线对于透过相移层光线的干涉效果相同,相移层的宽度为1~5μm、透光率为10%~90%,遮光层的宽度之和为1~8μm,本发明通过遮光层来限定相移区的宽度,减小了套合精度的影响,提高了相移层的线宽均匀性,降低了掩膜装置的制造难度,且相移区下方的衍射光线能够形成稳定的干涉相消,提升了转印图案的分辨率,本发明还提供一种掩膜装置的制作方法和光刻设备。

主权项:1.一种掩膜装置,其特征在于,包括有透明底板,所述透明底板上包括相移区和全透区,所述相移区和所述全透区相邻设置,所述相移区设置有至少一组相移单元,一组所述相移单元包括有遮光层和相移层,所述遮光层设置在所述相移层的两侧,所述遮光层之间的距离G1小于或等于所述相移层的宽度D1,且所述相移层的宽度D1小于两侧的所述遮光层的总宽度D2与所述遮光层之间的距离G1之和,从两个所述遮光层的两侧透过的光线对于透过所述相移层的光线的干涉效果相同,所述相移层的宽度D1为1~5μm,且所述相移层的透光率为10%~90%,所述遮光层的总宽度D2为1~8μm。

全文数据:

权利要求:

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