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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供了半导体器件及其制作方法，在半导体器件制作方法中，在第一层间介质层中制作导电插塞之后，在第一层间介质层上制作第二层间介质层及位于第二层见介质层中的插孔，紧接着去除部分深度的导电插塞以形成插槽，之后在剩余的部分导电插塞上方及其上的插孔中填充互连层插塞，该互连层插塞的电阻率相对小于导电插塞的电阻率。这样，一方面导电插塞能够提供良好的导电稳定性，另一方面通过使用互连层插塞替代上方的一部分导电插塞，能够降低第一层间介质层中导电插塞的电阻率，有效降低RC延迟，提升半导体器件的性能。
主权项：1.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上制作有源器件；在所述半导体衬底上形成第一层间介质层及位于所述第一层间介质层中的导电插塞，所述导电插塞连接所述有源器件；在所述第一层间介质层及导电插塞上形成第二层间介质层，并在所述第二层间介质层中制作互连层插孔，所述互连层插孔露出所述导电插塞；去除所述互连层插孔下方部分深度的所述导电插塞，以形成插槽；在所述互连层插孔中及所述插槽内填充互连层插塞，所述互连层插塞的电阻率低于所述导电插塞的电阻率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体器件及其制作方法
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