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申请/专利权人：联华电子股份有限公司
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包含一基底，基底包含一高压区以及一低压区，一第一深沟槽隔离设置在高压区内，其中第一深沟槽隔离包含第一深沟槽设置于基底中和一第一绝缘层填入第一深沟槽，其中第一深沟槽包含一第一侧壁和一第二侧壁，第一侧壁面对第二侧壁，第一侧壁仅由一第一平面和一第二平面组成，第一平面的边缘连接第二平面的边缘，第一平面的斜率和第二平面的斜率不同，一浅沟槽隔离设置在低压区内，其中浅沟槽隔离包含一沟槽设置于该基底上以及一第二绝缘层填入浅沟槽，其中浅沟槽隔离的深度小于第一深沟槽隔离的深度。
主权项：1.一种半导体元件，包含：基底，包含高压区以及低压区；第一深沟槽隔离，设置在该高压区内，其中该第一深沟槽隔离包含：第一深沟槽，设置于该基底中，其中该第一深沟槽包含第一侧壁和第二侧壁，该第一侧壁面对该第二侧壁，该第一侧壁仅由第一平面和第二平面组成，该第一平面的边缘连接该第二平面的边缘，该第一平面的斜率和该第二平面的斜率不同；以及第一绝缘层，填入该第一深沟槽；浅沟槽隔离，设置在该低压区内，其中该浅沟槽隔离包含：沟槽，设置于该基底上；以及第二绝缘层，填入该沟槽，其中该浅沟槽隔离的深度小于该第一深沟槽隔离的深度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联华电子股份有限公司 半导体元件及其制作方法
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