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申请/专利权人：华侨大学
摘要：本发明公开了一种溴化铯预掺杂制备CsPbBr3钙钛矿薄膜电池的方法及其电池。该CsPbBr3钙钛矿薄膜电池包括按序设置的导电透明衬底、电子传输层、钙钛矿层和对电极，制备方法包括如下步骤：1导电透明衬底预处理；2制备电子传输层：在导电透明衬底表面旋涂SnO2薄膜，形成电子传输层；3预掺杂溴化铯：在电子传输层表面旋涂PbBr2溶液，同时滴加CsBr的甲醇溶液，在环境氛围下退火，形成预掺杂薄膜；4制备钙钛矿层：在所述预掺杂薄膜表面旋涂CsBr的甲醇溶液，形成钙钛矿层；5制备电极：在所述钙钛矿层表面形成电极。
主权项：1.溴化铯预掺杂制备CsPbBr3钙钛矿薄膜电池的方法，其特征在于：包括如下步骤：1导电透明衬底预处理；2制备电子传输层：在导电透明衬底表面旋涂SnO2薄膜，形成电子传输层；3预掺杂溴化铯：在电子传输层表面旋涂PbBr2溶液，同时滴加CsBr的甲醇溶液，在环境氛围下退火，形成预掺杂薄膜；4制备钙钛矿层：在所述预掺杂薄膜表面旋涂CsBr的甲醇溶液，形成钙钛矿层；5制备电极：在所述钙钛矿层表面形成电极。
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百度查询： 华侨大学 溴化铯预掺杂制备CsPbBr3钙钛矿薄膜电池的方法及其电池
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