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申请/专利权人:浙江大学温州研究院
摘要:本发明公开了一种锡掺杂的高功率密度银锑碲热电材料,其特征在于,以AgSbTe2为基体,通过空穴掺杂Sn来修饰AgSbTe2材料,在其价带顶部引入杂质带,所得产物的化学结构式为AgSb1‑xSnxTe2;0<x≤0.1。本发明通过空穴掺杂Sn来修饰AgSbTe2材料,在其价带顶部引入杂质带,显著改善了电输运性能,成功实现了高达27μWcm‑1K‑2的热电功率因子,这是目前该材料的最高记录,并且在673K时热电优值zT达到了2.5,这种优异性能归因于新杂质带的形成,以及缺陷复合体形成能的降低。本发明通过抑制少数载流子的双极扩散和防止形成n型Ag2Te杂质相,掺杂材料的稳定性与塞贝克系数得到了显著改善。本发明利用Sn掺杂后的AgSbTe2材料制造了热电器件,实现了高达12.1%的能量转换效率和1.13Wcm2的功率密度,为实现p型AgSbTe2在中温热电领域的应用提供了重要的理论基础和实际应用价值。
主权项:1.一种锡掺杂的高功率密度银锑碲热电材料,其特征在于,以AgSbTe2为基体,通过空穴掺杂Sn来修饰AgSbTe2材料,在其价带顶部引入杂质带,所得产物的化学结构式为AgSb1-xSnxTe2;0<x≤0.1。
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权利要求:
百度查询: 浙江大学温州研究院 一种锡掺杂的高功率密度银锑碲热电材料、制备方法及其应用
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