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申请/专利权人：中科南京智能技术研究院

摘要：本发明公开一种自适应负位线写辅助电路，涉及存储器技术领域，该电路包括：负位线电路和参考单元；所述负位线电路用于拉低SRAM阵列中位线或者反位线的电压；所述参考单元接入所述SRAM阵列的一端，所述参考单元的位线与所述SRAM阵列的位线连接，所述参考单元的反位线与所述SRAM阵列的反位线连接；当所述参考单元和所述SRAM阵列进行写操作时，所述参考单元的字线电压低于所述SRAM阵列中进行写操作的SRAM单元的字线电压。本发明提高了存储器的工作频率。

主权项：1.一种自适应负位线写辅助电路，其特征在于，包括：负位线电路和参考单元；所述负位线电路用于拉低SRAM阵列中位线或者反位线的电压；所述参考单元接入所述SRAM阵列的一端，所述参考单元的位线与所述SRAM阵列的位线连接，所述参考单元的反位线与所述SRAM阵列的反位线连接；当所述参考单元和所述SRAM阵列进行写操作时，所述参考单元的字线电压低于所述SRAM阵列中进行写操作的SRAM单元的字线电压；所述负位线电路包括第一电容、第二电容、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一与非门、第二与非门和第一MOS管；所述第一电容的一端和所述第二电容的一端相连处记为控制端，所述控制端与所述第一MOS管的源极连接，所述第一电容的另一端与所述第一反相器的输出端连接，所述第一反相器的输入端与所述第一与非门的输出端连接，所述第一与非门的第一输入端用于输入写使能信号，所述第一与非门的第二输入端用于输入第一控制信号，所述第二电容的另一端与所述第二反相器的输出端连接，所述第二反相器的输入端与所述第二与非门的输出端连接，所述第二与非门的第一输入端用于输入写使能信号，所述第一与非门的第二输入端用于输入第二控制信号，所述第三反相器的输入端用于输入写使能信号，所述第三反相器的输出端与所述第一MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的漏极接地；所述自适应负位线写辅助电路还包括第四反相器、第五反相器、第六反相器、第七反相器和第八反相器，所述第四反相器的输入端用于输入数据，所述第四反相器的输出端分别与所述第五反相器的输入端和第七反相器的输出端连接，所述第五反相器的输出端与所述第六反相器的输入端连接，所述第六反相器的输出端与所述第八反相器的输入端连接，所述第八反相器的输出端连接所述SRAM阵列的反位线，所述第七反相器的输出端连接所述SRAM阵列的位线，所述第七反相器和所述第八反相器均与所述控制端连接；所述参考单元包括存储单元、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管和第九反相器；所述存储单元的结构与所述SRAM阵列中SRAM单元的结构相同；所述第二MOS管的第一极用于连接第一负字线，所述第二MOS管的第二极与所述存储单元的第一存储点连接，所述第三MOS管的第一极与所述参考单元的位线连接，所述第二MOS管的第三极与所述第三MOS管的第二极连接，所述第三MOS管的第三极接地，所述第六MOS管的第一极与所述存储单元的第一存储点连接，所述第六MOS管的第二极与所述控制端连接，第七MOS管的第一极与所述参考单元的位线连接，所述第六MOS管的第三极与所述第七MOS管的第二极连接，所述第七MOS管的第三极接地；所述第四MOS管的第一极用于连接第一负字线，所述第四MOS管的第二极与所述存储单元的第二存储点连接，所述第五MOS管的第一极与所述参考单元的反位线连接，所述第四MOS管的第三极与所述第五MOS管的第二极连接，所述第五MOS管的第三极接地，所述第八MOS管的第一极与所述存储单元的第二存储点连接，所述第八MOS管的第二极与所述控制端连接，第九MOS管的第一极与所述参考单元的反位线连接，所述第八MOS管的第三极与所述第九MOS管的第二极连接，所述第九MOS管的第三极接地；所述第十一MOS管的第一极与所述第九反相器的输出端连接，所述第九反相器的输入端和所述第十二MOS管的第一极连接，所述第九反相器的输入端用于输入写使能信号，所述第十一MOS管的第二极与电源连接，所述第十一MOS管的第三极与所述第十二MOS管的第二极连接，所述第十二MOS管的第三极接地，所述第十MOS管的第一极与所述第九反相器的输出端连接，所述第十MOS管的第二极分别与所述第十一MOS管的第三极和所述参考单元的字线连接。

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