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应变平衡的半导体结构 

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申请/专利权人:IQE公司

摘要:本文描述了生长层状结构的体系和方法。该层状结构包含:具有第一晶格常数的第一锗衬底层;具有第二晶格常数且在所述第一锗衬底层上外延生长的第二层,其中所述第二层具有第一成分和第二成分的复合物,并且具有在所述第一成分和所述第二成分之间的第一比例;具有第三晶格常数且在所述第二层上外延生长的第三层,其中所述第三层具有第三成分和第四成分的复合物,并且具有在所述第三成分和所述第四成分之间的第二比例,其中所述第一比例和所述第二比例被选择为使得第一晶格常数在第二晶格常数和第三晶格常数之间。

主权项:1.一种层状结构,包含垂直腔面发射激光器VCSEL外延晶片,所述层状结构包含:具有第一晶格常数的第一锗衬底层;和具有第二晶格常数且在所述第一锗衬底层上外延生长的第二层,其中所述第二层具有第一成分和第二成分的复合物,并且具有在所述第一成分和所述第二成分之间的第一比例;具有第三晶格常数且在所述第二层上外延生长的第三层,其中所述第三层具有第三成分和第四成分的复合物,并且具有在所述第三成分和所述第四成分之间的第二比例,其中所述第一比例和所述第二比例被选择为使得第一晶格常数在第二晶格常数和第三晶格常数之间。

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权利要求:

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