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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本实用新型提供一种具有渐缩热传递层的相变存储器装置，包括第一电极及第二电极的存储器装置位于第一介电层的上方。加热器层在侧向上位于第一电极与第二电极之间。热传递层位于加热器层的上方。热传递层包括位于第一电极与加热器层之间的第一渐缩区。相变层位于热传递层的上方且自第一电极的顶表面在侧向上延伸至第二电极的顶表面。相变层包括位于第一电极的上方的第一侧向区及直接位于热传递层的第一渐缩区的上方的第一台阶区。相变层具有沿着第一台阶区的第一厚度及沿着第一侧向区的第二厚度。第一厚度与第二厚度之间的差小于20％。本实用新型可以改善存储器的效能。
主权项：1.一种存储器装置，其特征在于，包括：第一介电层；第一电极，位于所述第一介电层的上方；第二电极，位于所述第一介电层的上方且与所述第一电极在侧向上间隔开；加热器层，在侧向上位于所述第一电极与所述第二电极之间；热传递层，位于所述加热器层的上方且在侧向上延伸超过所述加热器层的侧壁，所述热传递层包括位于所述第一电极与所述加热器层之间的第一渐缩区；以及相变层，位于所述热传递层的上方且自所述第一电极的顶表面在侧向上延伸至所述第二电极的顶表面，所述相变层包括位于所述第一电极的上方的第一侧向区及直接位于所述热传递层的所述第一渐缩区的上方的第一台阶区，其中所述相变层具有沿着所述第一台阶区的第一厚度及沿着所述第一侧向区的第二厚度，且其中所述第一厚度与所述第二厚度之间的差小于20％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 具有渐缩热传递层的相变存储器装置
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