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申请/专利权人：常州大学
摘要：本发明涉及一种在深共晶溶剂中电沉积制备Se‑Sb半导体薄膜的方法，属于电沉积技术领域。将硒源和锑源溶解于以氯化胆碱和乙二醇制备的深共晶溶剂中制得电解液。采用脉冲恒电位电沉积方法，在电解液体系中制得带隙为1.15～1.20eV、P型导电性以及光电流为0.08～0.15mAcm2的Se‑Sb半导体薄膜。制得薄膜中Se含量为57.00～63.00At.％，Sb含量为37.00％～43.00At.％，主要相组成为Sb2Se3，具有优良的半导体性能。本发明操作简便、过程安全可靠，无析氢析氧等副反应，电流效率高，电解液可回收循环利用，是绿色环保制备Se‑Sb半导体薄膜的方法。
主权项：1.一种在深共晶溶剂中电沉积制备Se-Sb半导体薄膜的方法，其特征在于：包括以下步骤1深共晶溶剂的制备：将氯化胆碱和乙二醇混合得到深共晶溶剂；2电解液的制备：将硒源和锑源分别加入深共晶溶剂中，搅拌溶解后混合均匀，得到电沉积Se-Sb合金薄膜的电解液；3电沉积：将工作电极、对电极以及参比电极置于电解液中，采用脉冲恒电位方法制备Se-Sb半导体前驱体薄膜；4退火处理：将脉冲恒电位电沉积得到的Se-Sb半导体前驱体薄膜，在惰性气体氛围下进行退火处理，得到Se-Sb半导体薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常州大学 一种在深共晶溶剂中电沉积制备Se-Sb半导体薄膜的方法
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