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申请/专利权人：上海工程技术大学
摘要：本发明公开了一种用于检测阿莫西林的光电化学传感器及其应用，所述光电化学传感器以rMIPBiVO4‑NLsWO3FTO为工作电极，以铂片为对电极，以AgAgCl为参比电极，以PBS缓冲溶液作为电解质；所述rMIPBiVO4‑NLsWO3FTO由MIPBiVO4‑NLsWO3FTO除去阿莫西林模板分子而得；所述MIPBiVO4‑NLsWO3FTO由BiVO4‑NLsWO3FTO经间苯二胺和阿莫西林修饰而得。所述光电化学传感器用于检测阿莫西林时，检测限低至0.24nM，线性检测范围为1nM‑1000μM。
主权项：1.一种用于检测阿莫西林的光电化学传感器，其特征在于：以rMIPBiVO4-NLsWO3FTO为工作电极，以铂片为对电极，以AgAgCl为参比电极，以PBS缓冲溶液作为电解质；所述rMIPBiVO4-NLsWO3FTO由MIPBiVO4-NLsWO3FTO除去阿莫西林模板分子而得；所述MIPBiVO4-NLsWO3FTO由BiVO4-NLsWO3FTO经间苯二胺和阿莫西林修饰而得；所述BiVO4-NLsWO3FTO是先以FTO玻璃为基底，在FTO玻璃表面负载WO3形成WO3FTO，然后在WO3FTO表面负载CAU-17形成CAU-17WO3FTO，最后将乙酰丙酮钒溶液加到CAU-17WO3FTO上热处理而得。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海工程技术大学 一种用于检测阿莫西林的光电化学传感器及其应用
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