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申请/专利权人：环球晶圆股份有限公司
摘要：本申请涉及一种将硅薄层移转的方法。一种用于制备绝缘体上半导体结构的方法包括将硅薄层从施体衬底移转到处置衬底上。
主权项：1.一种将硅层从单晶硅施体衬底移转到处置衬底的方法，所述方法包含：a通过与所述单晶硅施体衬底的前表面接触的二氧化硅层及通过所述单晶硅施体衬底的所述前表面来植入H2+离子、H+离子或H2+离子及H+离子的组合，所述单晶硅施体衬底包含两个平行主表面、连结所述前表面及后表面的圆周边缘、所述前表面与所述后表面之间的中心面、垂直于所述前表面的中心轴线及所述前表面与所述后表面之间的块体区域，所述两个平行主表面中的一者为所述前表面且所述两个平行主表面中的一者为所述后表面，其中所述H2+离子在约10Kev到约30Kev之间的植入能量下植入，且所述H+离子在约5Kev到约20Kev之间的植入能量下植入，其中从所述单晶硅施体衬底的所述前表面沿所述中心轴线测量的H2+离子、H+离子或H2+离子及H+离子的组合的峰值密度D1是在约100埃到约3000埃之间；b通过与所述单晶硅施体衬底的所述前表面接触的所述二氧化硅层及通过所述单晶硅施体衬底的所述前表面来植入He+离子，其中所述He+离子在约5Kev到约30Kev之间的植入能量下植入，其中从所述单晶硅施体衬底的所述前表面沿所述中心轴线测量的He+离子的峰值密度D2是在约100埃到约3000埃之间，且进一步其中H2+离子、H+离子或H2+离子及H+离子的组合的所述峰值密度D1及He+离子的所述峰值密度D2为彼此相差约450埃内；c使经离子植入的所述单晶硅施体衬底在足以在所述单晶硅施体衬底中形成损坏层的约200℃到约350℃之间的温度下及持续时间内退火；d将与所述单晶硅施体衬底的所述前表面接触的所述二氧化硅层接合到与所述处置衬底接触的电介质层以借此制备多层衬底；e在足以热活化所述损坏层的约200℃到约400℃之间的温度下及持续时间内使所述多层衬底退火；及f在所述单晶硅施体衬底中的所述损坏层处使经退火的所述多层衬底分裂，以借此将具有约500埃到约2500埃之间的厚度的所述硅层从所述单晶硅施体衬底移转到所述处置衬底。
全文数据：
权利要求：
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