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申请/专利权人：恩智浦美国有限公司
摘要：描述一种用于制造高纵横比MEMS传感器装置的方法和设备，所述高纵横比MEMS传感器装置具有形成于多层半导体结构中的惯性变换器元件，其中第一惯性变换器元件包括彼此分离开空气感测间隙的第一单晶半导体检验质量块元件和第二导电电极元件，并且其中至少所述第一单晶半导体检验质量块元件的第一感测间隙表面是已被选择性地蚀刻以减小所述第一单晶半导体检验质量块元件与所述第二导电电极元件之间的静摩擦的第一粗糙表面。
主权项：1.一种MEMS传感器装置，其特征在于，包括：第一惯性变换器元件，其形成于多层半导体结构中；以及顶盖装置，其接合到所述多层半导体结构以保护所述第一惯性变换器元件免受周围环境条件影响，其中所述第一惯性变换器元件包括彼此分离开空气感测间隙的第一单晶半导体检验质量块元件和第二导电电极元件，并且其中至少所述第一单晶半导体检验质量块元件的第一感测间隙表面是已被选择性地蚀刻以减小所述第一单晶半导体检验质量块元件与所述第二导电电极元件之间的静摩擦的第一粗糙表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 恩智浦美国有限公司 Z轴静摩擦减小的MEMS装置和制造工艺
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