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晶圆加工工艺中减小翘曲度的方法 

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申请/专利权人:物元半导体技术(青岛)有限公司

摘要:本发明涉及一种晶圆加工工艺中减小翘曲度的方法,包括以下步骤:对晶圆正面进行氧化,形成第一氧化层;在晶圆正面的氧化层上,通过化学气相沉积工艺沉积顶部氮化硅层;在晶圆正面刻蚀凹槽;对晶圆进行高温氧化,使凹槽内形成第二氧化层;在对晶圆进行高温氧化,使凹槽内形成第二氧化层之前,对晶圆背面通过高剂量离子注入法注入氮元素,以使得在对晶圆进行高温氧化时,晶圆背面形成底部氮化硅层。本发明解决了晶圆加工过程中翘曲度的技术问题。

主权项:1.一种晶圆加工工艺中减小翘曲度的方法,其特征在于,包括以下步骤:对晶圆正面进行氧化,形成第一氧化层SiO2;在晶圆正面的第一氧化层上,通过化学气相沉积工艺沉积顶部氮化硅层;在晶圆正面刻蚀凹槽;对晶圆进行高温氧化,使凹槽内形成第二氧化层LOCOS;还包括;在对晶圆进行高温氧化,使凹槽内形成第二氧化层之前,对晶圆背面通过高剂量离子注入法注入氮元素;以使得在对晶圆进行高温氧化时,晶圆背面形成底部氮化硅层。

全文数据:

权利要求:

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