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申请/专利权人：美蓓亚功率半导体株式会社
摘要：本发明提供一种能够通过比以往更简单的工艺在RC‑IGBT的二极管部形成肖特基势垒二极管，在二极管部实现低注入的半导体器件、半导体器件的制造方法和功率转换装置。本发明的半导体器件100RC‑IGBT是在1个芯片内具有IGBT部和二极管部的RC‑IGBT，其特征在于，在二极管部不存在第二导电类型的body层，且具有与栅极电位或发射极电位连接的多个第一沟槽9和形成在2个所述第一沟槽9之间的与发射极电位连接的第二沟槽7，具有由第二沟槽7和与第二沟槽7的侧壁接触的第一导电类型的漂移层3形成的肖特基势垒二极管10。
主权项：1.一种半导体器件，其是在1个芯片内具有IGBT部和二极管部的RC-IGBT，其特征在于：在所述二极管部，不存在第二导电类型的body层，具有：与栅极电位或发射极电位连接的多个第一沟槽，和形成在2个所述第一沟槽之间的与发射极电位连接的第二沟槽，具有由所述第二沟槽和与所述第二沟槽的侧壁接触的第一导电类型的漂移层形成的肖特基势垒二极管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美蓓亚功率半导体株式会社 半导体器件、半导体器件的制造方法和功率转换装置
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