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申请/专利权人：上海瑞能微澜半导体科技有限公司
摘要：本申请实施例提供一种功率器件及其制备方法，功率器件包括依次层叠设置的外延层、栅介质层、栅极及发射极；外延层包括漂移区及通过漂移区间隔设置的多个阱区，阱区包括第一导电类型的第一阱区和第二阱区以及第二导电类型的第三阱区，第一阱区经由第二阱区与发射极耦合，第三阱区形成于第一阱区内并与发射极耦合，阱区设有贯穿第一阱区和第三阱区的沟槽；栅介质层包括设于沟槽的内壁并与第一阱区连接的第一栅介质层以及与第一栅介质层和第一阱区连接的第二栅介质层。根据本申请的实施例能够降低功率器件正向导通状态下的电阻及提高功率器件正向导通状态下的功率密度。
主权项：1.一种功率器件，其特征在于，包括依次层叠设置的外延层、栅介质层、栅极及发射极；所述外延层包括漂移区及通过所述漂移区间隔设置的多个阱区，所述阱区包括第一导电类型的第一阱区和第二阱区以及第二导电类型的第三阱区，所述第一阱区经由所述第二阱区与所述发射极耦合，所述第三阱区形成于所述第一阱区内并与所述发射极耦合，所述阱区设有贯穿所述第一阱区和所述第三阱区的沟槽；所述栅介质层包括设于所述沟槽的内壁并与所述第一阱区连接的第一栅介质层以及与所述第一栅介质层和所述第一阱区连接的第二栅介质层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海瑞能微澜半导体科技有限公司 功率器件及其制备方法
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