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申请/专利权人：贵研检测科技(云南)有限公司;云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司

摘要：本发明涉及一种表征芯片引线键合微焊点组织的制样方法，属于材料分析表征制样技术领域。本发明将芯片样品夹持水平固定于模具中，将环氧树脂‑固化剂混合物加入到模具内淹没芯片样品及夹具，静置凝固得到冷镶样；在光学显微镜观察下，采用不同目数砂纸对冷镶样进行逐级磨样：冷镶样初磨至距离芯片样负极端面0.8～1.2mm，对冷镶样的芯片负极端进行粗磨、细磨和抛光至目标微焊点截面位置，采用无痕胶带覆盖冷镶样的芯片负极端；对冷镶样的芯片正极端进行粗磨至露出金属端，得到芯片键合微焊点组织样品；采用电镜观察表征芯片键合微焊点组织样品。本发明制样成本较低，且制样方法简单，短时间即可获得清晰完整的键合微焊点组织样品。

主权项：1.一种表征芯片引线键合微焊点组织的制样方法，其特征在于，具体步骤如下：（1）将芯片样品夹持水平固定于模具中，所述芯片样品为已去胶芯片样品，芯片样品的微焊点裸露面向下夹持固定；将芯片样品夹持水平固定于模具中，所述芯片样品为未去胶芯片样品，在距离芯片样品正极端1.9~2.1mm处标记预估芯片样品的微焊点位置，芯片样品的标记面向下夹持固定，所述标记面为微焊点裸露面的背面；将环氧树脂-固化剂混合物加入到模具内淹没芯片样品及夹具，静置凝固得到冷镶样；（2）采用不同目数砂纸对冷镶样进行逐级磨样：在光学显微镜观察下，冷镶样初磨至距离芯片样品负极端面0.8~1.2mm，对冷镶样的芯片负极端进行粗磨、细磨和抛光至目标微焊点截面位置，采用无痕胶带覆盖冷镶样的芯片负极端；具体地，所述芯片样品为已去胶芯片样品，逐级磨样的具体方法为：1）采用240目砂纸初步磨样至距离芯片样品负极端面0.8~1.2mm；2）采用600目砂纸磨样至芯片样品负极端面；3）采用1200目砂纸磨样至芯片样品负极端面观察到引线位置；4）采用2000目砂纸磨样至芯片样品负极端面观察到引线和焊盘位置；5）采用4000目砂纸细磨至芯片样品负极端面出现完整的目标微焊点截面；6）抛光芯片样品负极端面的目标微焊点截面位置；所述芯片样品为未去胶芯片样品，逐级磨样的具体方法为：1）采用240目砂纸初步磨样至距离芯片样品负极端面0.8~1.2mm；2）采用600目砂纸磨样至芯片样品负极端面；3）采用1200目砂纸磨样至负极端面距离芯片样品标记位置0.8~1.2mm；4）采用2000目砂纸磨样至芯片样品负极端面标记位置；5）采用2000目砂纸磨样至芯片样品负极端面观察到引线和焊盘位置；6）采用4000目砂纸细磨至芯片样品负极端面出现完整的目标微焊点截面；7）抛光芯片样品负极端面的目标微焊点截面位置；所述抛光的具体方法为：1）采用2.5μm抛光膏进行初抛至划痕数量不多于30条，且划痕深度不高于5μm，长度不大于200μm；2）采用1.5μm抛光膏多次细抛至样品微焊点截面无划痕或划痕数量不多于5条，且划痕深度不高于2μm，长度不大于50μm；3）采用清水微抛去除微焊点表面的抛光膏；（3）对冷镶样的芯片正极端进行粗磨至露出金属端，得到芯片键合微焊点组织样品；（4）采用电镜观察表征芯片键合微焊点组织样品。

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