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申请/专利权人：中芯集成电路(宁波)有限公司
摘要：本发明公开一种键合方法、键合结构、MEMS器件及其制作方法，键合方法包括：提供第一衬底；在第一衬底正面形成图案化的锗层；提供第二衬底；在第二衬底正面形成图案化的顶部金属叠层，顶部金属叠层包括位于第二衬底上的第一铝层、位于第一铝层上的扩散阻挡层以及位于扩散阻挡层上的第二铝层；将第一衬底正面的锗层与第二衬底正面的顶部金属层对准；将第二铝层和锗层键合在一起，形成铝锗互熔键合层。本发明能够提高铝锗键合的一致性，进而提高MEMS器件性能。
主权项：1.一种键合方法，其特征在于，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底正面形成图案化的锗层；提供第二衬底；在所述第二衬底正面形成图案化的顶部金属叠层，所述顶部金属叠层包括位于所述第二衬底上的第一铝层、位于所述第一铝层上的扩散阻挡层以及位于所述扩散阻挡层上的第二铝层；将所述第一衬底正面的所述锗层与所述第二衬底正面的所述顶部金属层对准；将所述第二铝层和所述锗层键合在一起，形成铝锗互熔键合层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯集成电路(宁波)有限公司 键合方法、键合结构、MEMS器件及其制作方法
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