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申请/专利权人：上海朋熙半导体有限公司
摘要：本申请提供了一种光刻掩膜缺陷的识别方法、装置、设备及可读介质。该方法包括：获取制造机台中当前晶圆的信息数据，根据所述信息数据确定当前晶圆的晶圆图像中第一缺陷坐标；基于光刻掩膜属性信息将所述晶圆图像进行网格切分，得到每个光刻掩膜网格以及生成每个光刻掩膜网格的位置编号，结合光刻掩膜网格进行所述第一缺陷坐标的映射，得到第二缺陷坐标；按照预设划分规则对每个光刻掩膜网格进行区域划分，得到计量区域；采用预设统计规则对落在每个计量区域内的第二缺陷坐标进行统计计算，得到统计结果，并根据统计结果确定所述光刻掩膜的识别结果。本技术方案，可以利用晶圆图像，光刻掩膜网格位置等信息，对光刻掩膜是否存在缺陷做出判断。
主权项：1.一种光刻掩膜缺陷的识别方法，其特征在于，所述方法包括：获取制造机台中当前晶圆的信息数据，根据所述信息数据确定当前晶圆的晶圆图像中第一缺陷坐标；基于光刻掩膜属性信息将所述晶圆图像进行网格切分，得到每个光刻掩膜网格以及生成每个光刻掩膜网格的位置编号，结合所述光刻掩膜网格进行所述第一缺陷坐标的映射，得到第二缺陷坐标；按照预设划分规则对每个光刻掩膜网格进行区域划分，得到每个光刻掩膜网格中的各个计量区域；在计量区域划分之后，为每个光刻掩膜网格中的各个计量区域设置编号，其中，每个光刻掩膜网格中计量区域的编号的设置方式是相同的，即不同光刻掩膜网格中编号相同的计量区域的位置是对应的；采用预设统计规则对落在每个计量区域内的第二缺陷坐标进行统计计算，得到统计结果，并根据所述统计结果确定所述光刻掩膜的识别结果；采用预设统计规则对落在每个计量区域内的第二缺陷坐标进行统计计算，得到统计结果，包括：读取每个第二缺陷坐标中的包含的位置编号和计量区域编号；对同一光刻掩膜网格中同一计量区域编号的第二缺陷坐标进行去重处理，得到同一光刻掩膜网格中同一计量区域编号的缺陷数量为0或1；对不同的光刻掩膜网格中相同计量区域内的简化结果进行加和，每个计量区域内的加和结果。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海朋熙半导体有限公司 一种光刻掩膜缺陷的识别方法、装置、设备及可读介质
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