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申请/专利权人：浙江英洛华磁业有限公司
摘要：本发明提供了一种超低镧铈杂质的钕铁硼永磁体，通过在熔炼工序中二次加料投入氧化硼，引入氧元素，将磁体中镧铈元素氧化、作为浮渣除杂，从而降低磁体中镧铈元素的含量，所得磁体总La元素含量不高于10ppm，总Ce元素含量不高于100ppm，O元素含量不高于1000ppm，晶界相中La元素含量不高于500ppm，晶界相中Ce元素含量不高于300ppm。本发明通过简单的方法显著降低了磁体中的镧铈杂质含量，提高了磁体的高温磁性能。
主权项：1.一种超低镧铈杂质的钕铁硼永磁体，其特征在于所述磁体包括以下质量分数的成分：R：28wt％～34wt％，R为稀土元素，包括R1或R1和R2，R1为Pr、Nd、Tb、Dy、Ho、Gd中的一种或多种；B：0.88wt％～1.05wt％，Co：0.5wt％～2wt％；M：0.1wt％～3.5wt％，M为Al、Ti、Cu、Ga、Zr、Nb中的一种或多种元素；余量为铁及其他不可避免杂质；所述杂质中含有La、Ce元素，磁体中，总La元素含量不高于10ppm，总Ce元素含量不高于100ppm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江英洛华磁业有限公司 一种超低镧铈杂质的钕铁硼永磁体及其制备方法
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