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申请/专利权人：闽都创新实验室
摘要：本申请公开了一种二维碲化铜纳米片及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：在载气的流通方向上，将碲源、铜源和衬底依次置于化学气相沉积系统的上游、中间和下游，通过程序升温进行反应，得到二维碲化铜纳米片；明通过调控不同的生长温度，可以调控Cu2Te四方相和六方相的合成，在较低合成温度下合成了四方相Cu2Te晶体；在较高合成温度下合成了六方相Cu2Te晶体。本申请合成的四方相Cu2Te纳米片为面内周期性排列范德华超晶格，具有超高的各项异性电传导特性，合成的六方相Cu2Te为单晶，具有较高的电子迁移率。
主权项：1.一种二维碲化铜纳米片的相控生长方法，其特征在于，包括以下步骤：在载气的流通方向上，将碲源、铜源和衬底依次置于化学气相沉积系统的上游、中间和下游，通过程序升温进行反应，得到二维碲化铜纳米片；其中程序升温的条件为：在10～30min的升温时间内从20～30℃升至目标温度，保温；当目标温度为520～560℃时，得到的二维碲化铜纳米片以四方相为主；当目标温度为560～600℃时，得到的二维碲化铜纳米片以六方相为主。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 闽都创新实验室 一种二维碲化铜纳米片及其制备方法和应用
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