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申请/专利权人：华东光电集成器件研究所
摘要：本发明涉及一种基于键合工艺的互补双极器件结构，属于微机械电子领域。它包括衬底和位于衬底上的基层；基层表面设有介质层，基层中设有隔离结构，隔离结构将基层分为第一区域和第二区域；第一区域中设有N型埋层、P型基区、与N型埋层相连的N型集电区连接区以及位于P型基区中的N型发射区；第二区域中设有P型埋层、P阱、位于P阱中且与P型埋层相连的P型集电区连接区以及位于P阱中的N型基区、位于N型基区中的P型发射区；基层中还设有分别与器件的集电区、基区和发射区连接且外露于介质层的电极；基层为通过解键合工艺分离SOI硅片的衬底层后的结构。本发明使本器件结构和制作工艺更简单，提高了器件制备效率，降低了器件制造成本。
主权项：1.一种基于键合工艺的互补双极器件结构，其特征在于：包括衬底（200）和位于衬底（200）上的基层（101）；基层（101）表面设有介质层（11），基层（101）中设有隔离结构（3），隔离结构（3）将基层（101）分为第一区域（300）和第二区域（400）；第一区域（300）中设有N型埋层（2）、P型基区（7）、与N型埋层（2）相连的N型集电区连接区（4）以及位于P型基区（7）中的N型发射区（9）；第二区域（400）中设有P型埋层（1）、P阱（6）、位于P阱（6）中且与P型埋层（1）相连的P型集电区连接区（5）以及位于P阱（6）中的N型基区（8）、位于N型基区（8）中的P型发射区（10）；所述基层（101）中还设有分别与器件的集电区、基区和发射区连接且外露于介质层（11）的电极（13）；其中，所述基层（101）为通过解键合工艺分离SOI硅片（100）的衬底层（102）后的结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华东光电集成器件研究所 一种基于键合工艺的互补双极器件结构
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