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申请/专利权人：华东光电集成器件研究所
摘要：本发明涉及一种基于键合工艺的互补双极器件制备方法，属于微机械电子领域。该方法通过在SOI硅片顶层硅上进行注入和退火工艺形成N型和P型埋层，再把顶层硅一面与另一氧化后的硅片键合到一起，通过解键合去除原SOI硅片的衬底硅，这样在剩下的硅片就形成了带有埋层的SOI硅片，结合半导体制造技术和MEMS制造技术在没有使用外延工艺情况下就完成互补双极晶体管双埋层的制备；本方法整体上简化了工艺流程，提高制备效率。
主权项：1.一种基于键合工艺的互补双极器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、取SOI硅片（100），采用光刻与离子注入工艺在SOI硅片（100）的N型顶层硅（101）特定区域完成P型埋层（1）和N型埋层（2）的制备；S2、取一带有氧化层的双抛硅片（200），采用键合工艺与SOI硅片（100）的N型顶层硅（101）键合在一起；S3、采用解键合工艺将SOI硅片（100）的衬底硅（102）和N型顶层硅（101）分离，使N型顶层硅（101）底侧外露；S4、采用氧化、成膜、光刻、介质刻蚀、深硅刻蚀、侧壁氧化、多晶硅填充与退火、CMP平坦化、热磷酸腐蚀以及氧化层腐蚀工艺在N型顶层硅（101）上制备出介质隔离槽（3）；S5、通过光刻、注入磷以及离子扩散工艺在N型顶层硅（101）形成N型埋层连接区（4）；通过光刻、注入硼以及扩散工艺在N型顶层硅（101）中形成P型埋层连接区（5）以及P阱（6）；S6、在N型顶层硅（101）上通过注入硼和离子扩散工艺形成P型基区（7）；在P阱（6）内通过注入磷和扩散工艺形成N型基区（8）；S7、在P型基区（7）内通过注入磷工艺形成N型发射区（9）；在N型基区（8）内通过注入硼工艺形成P型发射区（10）；S8、在N型顶层硅（101）的表面整面淀积氧化层形成层间介质层（11）；S9、通过光刻、刻蚀以及腐蚀工艺完成三极管的集电区、基区和发射区的接触孔（12）制备；S10、最后通过金属溅射、光刻、刻蚀工艺完成终电极（13）制备。
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