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申请/专利权人：海创智能装备(烟台)有限公司

摘要：本发明涉及一种晶圆等离子表面活性化设备及活性化方法，属于用于处理半导体部件的设备技术领域。本发明通过ICP线圈产生的强磁场，有效激发了腔室内的气体分子，形成了高密度、高活性的等离子体；将ICP反应器设置在所述活化腔室上侧，且所述活化腔室与所述ICP反应器之间采用绝缘的陶瓷隔离板隔离，ICP电磁感应可以穿透所述隔离板，所述隔离板既保证了活化腔室的密闭性，又有效隔绝了ICP反应器的高温环境，防止ICP反应器内部的高温对活化腔室造成不利影响；将ICP线圈设置在内筒和外筒之间，且在外筒上设置散热风扇，还在活化腔室内设置散热盘管，提高了散热效果，从而能够有效降低了活化腔室内的温度。

主权项：1.一种晶圆等离子表面活性化设备，其特征在于，包括射频电源模块100、ICP反应器200、反应器上盖300、隔离板400、活化腔室500、抽真空系统910和气体泵送管路920；所述ICP反应器200包括ICP线圈210、内筒220和外筒230，所述外筒230套设在所述内筒220外侧，所述外筒230与所述内筒220之间形成外腔，所述ICP线圈210呈螺旋状安装在所述外腔内并与所述射频电源模块100电连接，所述外筒230的筒壁上设有多个均匀分布的散热风扇240；所述反应器上盖300以能够开合的方式安装在所述ICP反应器200上方，所述ICP反应器200位于所述活化腔室500的上侧，所述隔离板400位于所述活化腔室500与所述ICP反应器200之间；所述活化腔室500的侧壁上设有晶圆入口540，所述活化腔室500内设有晶圆载台510、晶圆顶升针520和冷却盘管530，所述晶圆载台510固定在所述活化腔室500内，所述冷却盘管530设置在所述晶圆载台510的下方，所述晶圆载台510上设有通孔，所述晶圆顶升针520以能够升降的方式安装在所述通孔内；所述活化腔室500的底部设有抽气口550，所述抽真空系统910通过所述抽气口550与所述活化腔室500连通；所述活化腔室500的顶部设有进气口560，所述气体泵送管路920通过所述进气口560与所述活化腔室500连通，所述抽气口550和所述进气口560均位于所述活化腔室500的中心线上。

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