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申请/专利权人：宁波大学;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要：本发明涉及一种非原位生长拓扑超导异质结的方法，本发明利用分子束外延室内中的氩离子对因跨设备转移而暴露过空气的单晶TiN薄膜进行氩离子刻蚀，氩离子经过阳极电场的加速，与单晶TiN薄膜表面发生碰撞，从而将单晶TiN薄膜表面的杂质原子和灰尘去除，解决了跨设备原位生长需要增加高成本和导致薄膜表面污染的问题，同时，相对于高温退火技术，本发明的刻蚀方法能够大大降低生长时间，还能避免污染超真空视窗，以及避免影响设备使用寿命，然后在接近的单晶TiN薄膜表面在超真空下，在单晶TiN薄膜上外延生长出单晶Bi2Se3薄膜，获得TiNBi2Se3拓扑超导异质结。
主权项：1.一种非原位生长拓扑超导异质结的方法，其特征在于，包括：步骤1.以Al2O3为衬底，在Al2O3衬底上生长单晶TiN薄膜；步骤2.将生长有单晶TiN薄膜的Al2O3衬底转移到分子束外延室内，然后在分子束外延室内采用氩离子刻蚀技术对单晶TiN薄膜进行氩离子刻蚀，以除去单晶TiN薄膜上在转移过程暴露过空气产生的氧化层以及吸附在单晶TiN薄膜表面上的杂质和灰尘；步骤3.采用分子束外延技术，在分子束外延室内超真空状态下，在单晶TiN薄膜上外延生长出单晶Bi2Se3薄膜，从而获得TiNBi2Se3拓扑超导异质结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宁波大学 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种非原位生长拓扑超导异质结的方法
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