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申请/专利权人：上海至纯洁净系统科技股份有限公司
摘要：本发明涉及微光衍射基片加工技术领域，具体为一种拓扑保护光子线路设计方法及相关设备。方法包括以下步骤：选择具有折射率和机械强度的材料，在微纳尺度下加工材料，用于制作光子晶体；在微光衍射基片上设计具有周期性折射率分布的二维或三维光子晶体结构，几何配置光子晶体结构的光子晶体单元，用于实现拓扑保护；集成拓扑绝缘体至光子晶体结构中，在光信号传输时光子晶体结构具备拓扑保护特性，用于抵抗物理扰动和加工缺陷。本发明的拓扑保护光子线路设计方法，通过在微光衍射基片上引入拓扑保护的方式，提升了光子线路在环境扰动和制造缺陷条件下的抗扰能力。
主权项：1.一种拓扑保护光子线路设计方法，应用于微光衍射基片，其特征在于，所述方法包括以下步骤：选择具有折射率和机械强度的材料，在微纳尺度下加工所述材料，用于制作光子晶体；在所述微光衍射基片上设计具有周期性折射率分布的二维或三维光子晶体结构，几何配置所述光子晶体结构的光子晶体单元，用于实现拓扑保护；集成拓扑绝缘体至所述光子晶体结构中，在光信号传输时所述光子晶体结构具备拓扑保护特性，用于抵抗物理扰动和加工缺陷；通过拓扑光子路径优化算法计算所述光子晶体单元的带隙分布和光子传输路径，用于确保光信号不受干扰；将所述光子晶体结构刻蚀到所述微光衍射基片上，得到所述刻蚀的步骤包括电子束光刻、深紫外光刻及反应离子刻蚀；测试所述微光衍射基片的拓扑保护光子线路的光学性能，通过调整和优化所述几何配置的参数，用于验证所述微光衍射基片在应用环境下的抗扰性。
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