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申请/专利权人：天津大学四川创新研究院;四川天瓴创新科技集团有限公司;四川莱仪特天瓴科技有限公司
摘要：本发明公开了聚合物辅助双相浸渍提拉生长连续有机单晶的方法及应用，包括以下步骤：在室温下，将清洁的衬底垂直浸入双相溶液中，当衬底全部浸入双相溶液中时，将衬底以5‑20μms的速度从提拉溶液中垂直移出，待衬底完全从中拉出时，在衬底上得到连续生长有机单晶，所述双相溶液的下层为聚乙烯醇水溶液，上层为有机半导体溶液，上下两层溶液互不相溶，所述聚乙烯醇的浓度为0.1‑10mgmL，所述有机半导体的浓度为0.1‑1mgmL。本发明成功规避了传统单相浸渍提拉中高浓度均相成核所带来的负面影响，PVA的引入有助于半导体分子在基板上的粘附，减少了流体不稳定和传质紊乱，有效地促进了有机单晶的高质量连续生长。
主权项：1.聚合物辅助双相浸渍提拉生长连续有机单晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：在室温下，将清洁的衬底垂直浸入双相溶液中，当衬底全部浸入双相溶液中时，将衬底以5-20μms的速度从提拉溶液中垂直移出，待衬底完全从中拉出时，在衬底上得到连续生长有机单晶，所述双相溶液的下层为聚乙烯醇水溶液，上层为有机半导体溶液，上下两层溶液互不相溶，所述聚乙烯醇的浓度为0.1-10mgmL，所述有机半导体的浓度为0.1-1mgmL。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津大学四川创新研究院 四川天瓴创新科技集团有限公司 四川莱仪特天瓴科技有限公司 聚合物辅助双相浸渍提拉生长连续有机单晶的方法及应用
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