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申请/专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
摘要：本发明公开了一种真空压力浸渍下超导磁体失超探测线保护方法，属于超导磁体失超探测线保护领域。所述方法包括：在超导磁体铠甲或氦管位置的失超探测线退包绕穿出磁体绝缘层时采用热缩套管对失超探测线进行包裹，以磁体绝缘层最外侧为分界，磁体绝缘层内外各包括相同长度的热缩套管；将在磁体绝缘层外的失超探测线末段盘成卷状并用脱模布包裹后放入盒体中，在所述盒体中倒入硅胶进行固化；将失超探测线从穿出磁体绝缘层处到盒体处之间的失超探测线过渡段，放在两块自熔带中间进行压紧密封，在自熔带表面涂覆硅胶层。该方法用于指导超导磁体真空压力浸渍下失超探测线绝缘免受伤害，为后期磁体帕邢测试及安全运行提供保障。
主权项：1.一种真空压力浸渍下超导磁体失超探测线保护方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1、在超导磁体铠甲或氦管位置的失超探测线退包绕穿出磁体绝缘层时采用总长度为N的热缩套管对失超探测线进行包裹，以磁体绝缘层最外侧为分界，磁体绝缘层内外各包括长度为N2的热缩套管，所述失超探测线的总长度大于热缩套管的总长度；所述失超探测线为高压线，所述高压线芯线为单芯多股镀银铜线，护套采用聚酰亚胺绝缘材料；步骤2、将在磁体绝缘层外的失超探测线末段盘成卷状并用脱模布包裹后放入盒体中，在所述盒体中倒入硅胶进行固化，所述脱模布采用FEP薄膜，所述硅胶采用有机硅导热灌封胶；步骤3、将失超探测线从穿出磁体绝缘层处到盒体处之间的失超探测线过渡段，放在两块自熔带中间进行压紧密封，在自熔带表面涂覆硅胶层，所述自熔带为硅胶材料；步骤4、将步骤1、步骤2、步骤3对整段失超探测线的处理过程所涉及的所有部件放入密闭模具中进行真空压力浸渍，所述真空压力浸渍温度范围为135~150℃，浸渍压力为0.2MPa，浸渍时间为24小时。
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权利要求：
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