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申请/专利权人：福建金石能源有限公司
摘要：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有特定P型发射极的背接触电池及制作和应用，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包含钝化层和N型掺杂硅层，第二半导体层包含本征硅层，第二半导体层还包含在本征硅层的远离硅片的一侧表面上依次设置的P型微晶碳化硅层和P型微晶硅层，形成P型发射极，沿远离硅片背面的方向上，P型微晶碳化硅层和或P型微晶硅层的有效掺硼浓度按照分层结构逐渐递增，分层结构不低于5层，P型微晶碳化硅层的厚度为3‑6nm。本发明采用特定结构的P型发射极，有利于提升电池的开路电压，提升薄膜导电性，提升电池的填充因子和转换效率。
主权项：1.一种具有特定P型发射极的背接触电池，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包含钝化层和N型掺杂硅层，第二半导体层包含本征硅层，其特征在于，第二半导体层还包含在本征硅层的远离硅片的一侧表面上依次设置的P型微晶碳化硅层和P型微晶硅层，形成P型发射极，沿远离硅片背面的方向上，P型微晶碳化硅层和或P型微晶硅层的有效掺硼浓度按照分层结构逐渐递增，分层结构不低于5层；且P型微晶碳化硅层的晶化率为20%-40%，P型微晶硅层的晶化率为40%-80%；其中，P型微晶碳化硅层的厚度为3-6nm，P型微晶碳化硅层和P型微晶硅层、本征硅层的厚度之比为1：5-10：1.5-4。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福建金石能源有限公司 具有特定P型发射极的背接触电池及制作和应用
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