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申请/专利权人：福建金石能源有限公司
摘要：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有特定P型发射极的联合钝化背接触电池及制作和应用，第二半导体层还包含在第一本征非晶硅层外表面依次设置的氢化微晶碳化硅、P型微晶硅膜，形成P型发射极，且在沿远离硅片背面的方向上，P型微晶硅膜的有效掺硼浓度按照分层结构逐渐递增，分层结构大于3层；其中，氢化微晶碳化硅的晶化率为40%‑80%，氢化微晶碳化硅中以原子百分数计的氢含量为10%‑30%，氢化微晶碳化硅与P型微晶硅膜的晶化率之比为1：0.5‑1.2。本发明能够有利于促进光生载流子的快速分离，减少复合，提升电池的开路电压，有利于提升载流子的收集效率，有利于提升电池的填充因子，进而提升电池转换效率。
主权项：1.具有特定P型发射极的联合钝化背接触电池，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包含隧穿氧化层和N型掺杂多晶硅层，第二半导体层包含第一本征非晶硅层，其特征在于，第二半导体层还包含在第一本征非晶硅层外表面依次设置的氢化微晶碳化硅、P型微晶硅膜，形成P型发射极，且在沿远离硅片背面的方向上，P型微晶硅膜的有效掺硼浓度按照分层结构逐渐递增，分层结构大于3层；其中，氢化微晶碳化硅的晶化率为40%-80%，氢化微晶碳化硅中以原子百分数计的氢含量为10%-30%，氢化微晶碳化硅与P型微晶硅膜的晶化率之比为1：0.5-1.2，且氢化微晶碳化硅与P型微晶硅膜、第一本征非晶硅层、N型掺杂多晶硅层的厚度之比为1：4-10：1.5-3：20-100。
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