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申请/专利权人：常州时创能源股份有限公司
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及基于低温硼扩法制备选择性发射极的方法、及晶硅电池的制备方法；取双面制绒后的硅片，在硅片正面的绒面上沉积BSG层；在BSG层表面喷墨阻挡层溶液，烘干后形成阻挡层；对阻挡层进行激光开膜处理；对开膜后的样品进行硼扩处理，未开膜区域由于存在阻挡层被轻度掺杂形成轻掺区，而开膜区域由于不存在阻挡层而被重度掺杂形成重掺区，以此得到包含选择性发射极的硅片；然后以此硅片为基片制备晶硅电池；本发明采用低温硼扩匹配激光开膜，可以在较低温度下实现选择性发射极的制备，降低制造成本的同时，全低温工艺流程保障了基体的少子寿命，提高电池性能。
主权项：1.基于低温硼扩法制备选择性发射极的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、取双面制绒后的硅片，在所述硅片正面的绒面上沉积BSG层；S2、在所述BSG层表面喷墨阻挡层溶液，烘干后形成阻挡层；S3、对所述阻挡层进行激光开膜处理；S4、对开膜后的样品进行硼扩处理，未开膜区域由于存在所述阻挡层被轻度掺杂形成轻掺区，而开膜区域由于不存在所述阻挡层而被重度掺杂形成重掺区，以此得到包含选择性发射极的硅片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常州时创能源股份有限公司 基于低温硼扩法制备选择性发射极的方法、及晶硅电池的制备方法
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