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申请/专利权人：大连理工大学
摘要：本发明公开了一种基于银纳米颗粒‑二氧化钛薄膜复合结构的超大尺寸表面增强拉曼芯片制备方法，涉及纳米科学技术领域；包括：加工晶圆级衬底；采用溶胶‑凝胶法制备二氧化钛溶胶溶液；利用提拉技术或旋涂法，通过控制提拉速率或旋涂转速，在晶圆级衬底上获得厚度可控、均一的二氧化钛薄膜，继而进行热退火处理；利用紫外光管阵列垂直照射浸渍于硝酸银溶液中的晶圆级二氧化钛薄膜衬底，通过控制光照时长，在二氧化钛薄膜衬底表面可控沉积银纳米颗粒，从而实现超大尺寸米级银纳米颗粒‑二氧化钛薄膜复合结构基SERS芯片制备。本方法解决了现有技术中难以实现超大尺寸、成本低廉、灵敏度高的SERS芯片可控制备的技术挑战。
主权项：1.一种基于银纳米颗粒-二氧化钛薄膜复合结构的超大尺寸SERS芯片制备方法，其特征在于，包括：加工晶圆级衬底；制备二氧化钛溶胶溶液，获得的溶液静置后，利用提拉技术或旋涂法，在晶圆级衬底上获得厚度可控的超大尺寸二氧化钛薄膜；将覆盖有二氧化钛薄膜的晶圆级衬底进行热退火处理，以提高二氧化钛薄膜的结晶质量和光催化活性；热退火后浸入到硝酸银溶液中，利用紫外灯管阵列照射覆盖有二氧化钛薄膜的晶圆级衬底；通过控制光照时间，实现银纳米颗粒在二氧化钛薄膜表面的可控光催化沉积，以形成超大尺寸银纳米颗粒-二氧化钛薄膜复合结构基SERS芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 大连理工大学 一种基于银纳米颗粒-二氧化钛薄膜复合结构的超大尺寸表面增强拉曼芯片制备方法
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