龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器的制造方法包括如下步骤：形成基底，基底包括衬底、位于衬底上的第一介质层以及贯穿第一介质层的第一接触结构；于第一介质层内形成至少暴露第一接触结构的侧壁的存储孔；形成至少连续覆盖存储孔的内壁、第一接触结构的侧壁和第一接触结构的顶面的存储结构；形成填充满存储孔并覆盖存储结构的表面的导电填充层；采用化学机械研磨工艺去除部分的导电填充层和部分的存储结构，剩余的导电填充层的顶面、剩余的存储结构的顶面和第一接触结构的顶面平齐；形成与导电填充层电连接的第一引出结构。本发明增大了存储结构的面积，且避免了同层存储结构之间的漏电。
主权项：1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的第一介质层以及贯穿所述第一介质层的第一接触结构；于所述第一介质层内形成至少暴露所述第一接触结构的侧壁的存储孔；形成至少连续覆盖所述存储孔的内壁、所述第一接触结构的侧壁和所述第一接触结构的顶面的存储结构，且所述存储结构与所述第一接触结构接触电连接；形成填充满所述存储孔并覆盖所述存储结构的表面的导电填充层，所述导电填充层与所述存储结构电连接；采用化学机械研磨工艺去除部分的所述导电填充层和部分的所述存储结构，剩余的所述导电填充层的顶面、剩余的所述存储结构的顶面和所述第一接触结构的顶面平齐；形成位于所述基底上方且与所述导电填充层电连接的第一引出结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 三维存储器及其制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号