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申请/专利权人：北京大学深圳研究生院
摘要：本申请提出一种半导体器件老化效应的建模方法，包括：确定能反映半导体器件老化效应的BSIM‑CMG模型特征参数；建立基于BSIM‑CMG模型特征参数的含时、含偏压依赖性的老化效应的可靠性模型；由实验获得半导体器件受老化效应影响，在多种应力下，长时间域内的IV测试数据曲线；以及采用优化算法，搭建可靠性模型参数提取框架，由受老化效应影响的半导体器件时变IV数据，直接提取参数得到基于BSIM‑CMG模型搭建的半导体器件老化效应的可靠性模型的参数，从而建立适用于对应制程下半导体器件老化效应的可靠性模型。本申请还提出一种半导体器件老化效应的仿真预测方法。
主权项：1.一种半导体器件老化效应的建模方法，包括：确定能反映所述半导体器件老化效应的BSIM-CMG模型特征参数；建立基于所述BSIM-CMG模型特征参数的含时、含偏压依赖性的老化效应的可靠性模型；由实验获得所述半导体器件受老化效应影响，在多种应力下，长时间域内的IV测试数据曲线；以及采用优化算法，搭建可靠性模型参数提取框架，由受老化效应影响的所述半导体器件时变IV数据，直接提取参数得到基于BSIM-CMG模型搭建的所述半导体器件老化效应的可靠性模型的参数，从而建立适用于对应制程下所述半导体器件老化效应的可靠性模型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学深圳研究生院 一种半导体器件老化效应的建模方法及仿真预测方法
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