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申请/专利权人：广州润芯信息技术有限公司

摘要：本申请公开了一种跨导放大器及混频器，其中，所述跨导放大器包括用于接收射频差分输入信号的第一LC电路和第二LC电路、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管；第一LC电路与第一NMOS管的源极连接，还通过第二隔直电容与第二PMOS管的栅极连接；第二LC电路与第二NMOS管的源极连接，还通过第一隔直电容与第一PMOS管的栅极连接；第一NMOS管的源极通过第一耦合电容与第二NMOS管的栅极连接；第二NMOS管的源极通过第二耦合电容与第一NMOS管的栅极连接；第一PMOS管的漏极作为第一输出端，与第一NMOS管的漏极连接；第二PMOS管的漏极作为第二输出端，与第二NMOS管的漏极连接；第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极分别连接供电电压，以此改善低噪声跨导放大器的性能。

主权项：1.一种跨导放大器，其特征在于，包括第一LC电路、第二LC电路、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一隔直电容、第二隔直电容、第一耦合电容、第二耦合电容、第三NMOS管、第四NMOS管、第三隔直电容、第四隔直电容、第五NMOS管和第六NMOS管；所述第一LC电路的第一端和所述第二LC电路的第一端分别作为射频差分输入信号的第一输入端和第二输入端，所述第一LC电路的第二端和所述第二LC电路的第二端接地；所述第一LC电路的第三端与所述第一NMOS管的源极连接，还通过所述第二隔直电容与所述第二PMOS管的栅极连接；所述第二LC电路的第三端与所述第二NMOS管的源极连接，还通过所述第一隔直电容与所述第一PMOS管的栅极连接；所述第一NMOS管的源极通过所述第一耦合电容与所述第二NMOS管的栅极连接；所述第二NMOS管的源极通过所述第二耦合电容与所述第一NMOS管的栅极连接；所述第一PMOS管的漏极作为第一输出端，与所述第一NMOS管的漏极连接；所述第二PMOS管的漏极作为第二输出端，与所述第二NMOS管的漏极连接；所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极分别连接供电电压；所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接，具体包括：所述第一NMOS管的漏极与所述第三NMOS管的源极连接；所述第二NMOS管的漏极与所述第四NMOS管的源极连接；所述第一PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极连接；所述第二PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的漏极连接；所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极连接偏置电压；所述第三NMOS管的源极通过所述第三隔直电容与所述第五NMOS管的栅极连接；所述第四NMOS管的源极通过所述第四隔直电容与所述第六NMOS管的栅极连接；所述第五NMOS管的源极和所述第六NMOS管的源极接地；所述第五NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极连接；所述第六NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接。

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