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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请提供一种低噪声放大器及其制备方法，其中制备方法中，在制备第一多晶硅栅极之后，通过选择性外延工艺在第一多晶硅栅极上继续制备第二多晶硅栅极，使第二多晶硅栅极高于侧墙结构，将更多的多晶硅栅极材料暴露出来，使得后续通过自对准硅化物工艺在第一多晶硅栅极顶端制备较厚的金属硅化物层，增加金属硅化物的导通电阻以及减小多晶硅栅极的电阻，从而降低低噪声放大器的栅极电阻，提升低噪声放大器的性能。
主权项：1.一种低噪声放大器的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体结构，所述半导体结构至少包括：衬底、阱区、源区、漏区、第一多晶硅栅极和侧墙结构，所述阱区位于所述衬底中，所述源区和所述漏区间隔设置于所述阱区中，所述第一多晶硅栅极位于所述源区和所述漏区之间的衬底上，所述侧墙结构位于所述第一多晶硅栅极的两侧；形成硬掩膜层，所述硬掩膜层覆盖所述衬底表面、所述侧墙结构和所述第一多晶硅栅极；刻蚀所述第一多晶硅栅极上的所述硬掩膜层，露出所述第一多晶硅栅极；通过选择性外延工艺，在所述第一多晶硅栅极上淀积第二多晶硅栅极，所述第二多晶硅栅极的上表面超出所述侧墙结构顶端一定的高度；刻蚀所述衬底上的所述硬掩膜层；以及通过自对准硅化物工艺，在所述第一多晶硅栅极上、所述源区表面和所述漏区表面形成金属硅化物层，其中，所述第一多晶硅栅极上的金属硅化物层的厚度大于所述源区和所述漏区上的金属硅化物层的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 低噪声放大器及其制备方法
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