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申请/专利权人：西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学
摘要：本发明提供一种基于快速熔融技术生长高质量氧化镓薄膜的方法，选择氧化镓单晶衬底；在氧化镓单晶衬底上生长第一绝缘层，对第一绝缘层图案化处理形成具有生长空间的第一晶圆片，其中生长空间包括接触氧化镓单晶衬底的颈部区域以及导通于颈部区域的横向扩展区域；通过低压化学气相沉积法在第一晶圆片的生长空间内沉积氧化镓，光刻刻蚀氧化镓得到第二晶圆片；在第二晶圆片上沉积第二绝缘层得到第三晶圆片，其中第二绝缘层覆盖氧化镓，第一绝缘层和第二绝缘层的绝缘材料相同；对第三晶圆片进行熔化和退火处理，去除氧化镓所在平面上的绝缘层得到氧化镓薄膜，解决了目前生长氧化镓过程中遇到的晶体质量低、薄膜缺陷多的问题。
主权项：1.一种基于快速熔融技术生长高质量氧化镓薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：选择氧化镓单晶衬底；S2：在氧化镓单晶衬底上生长第一绝缘层，对第一绝缘层图案化处理形成具有生长空间的第一晶圆片，其中生长空间包括接触氧化镓单晶衬底的颈部区域以及导通于颈部区域的横向扩展区域；S3：通过低压化学气相沉积法在第一晶圆片的生长空间内沉积氧化镓，光刻刻蚀氧化镓得到第二晶圆片；S4：在第二晶圆片上沉积第二绝缘层得到第三晶圆片，其中第二绝缘层覆盖氧化镓，第一绝缘层和第二绝缘层的绝缘材料相同；S5：对第三晶圆片进行熔化和退火处理，去除氧化镓所在平面上的绝缘层得到氧化镓薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学杭州研究院 西安电子科技大学 一种基于快速熔融技术生长高质量氧化镓薄膜的方法
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