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申请/专利权人：ASMIP私人控股有限公司
摘要：本公开涉及用于将包含硅和氮的材料选择性地沉积到包含第一表面和第二表面的衬底上的方法和系统，其中沉积在衬底的第一表面上比在衬底的第二表面上发生得更多。更具体地，该方法和系统包括将包含第一表面和第二表面的衬底暴露于氯源和硅源，然后将衬底暴露于氮源，以在衬底的第一表面上选择性地沉积包含硅和氮的材料。
主权项：1.一种用于在衬底上选择性地沉积包含硅和氮的材料的方法，该方法包括：i.在反应空间中提供包含第一表面和第二表面的衬底，其中第一表面和第二表面在化学上不同；ii.将衬底暴露于硅前体，其中硅前体在衬底的第一表面上的吸附多于在衬底的第二表面上的吸附；iii.吹扫反应空间；iv.将衬底暴露于在远程等离子体中形成的氮前体，以将吸附的硅前体转化为包含硅和氮的材料；以及v.吹扫反应空间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASMIP私人控股有限公司 包含硅和氮的材料的选择性沉积
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