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申请/专利权人：华东师范大学
摘要：本发明公开了一种应用于晶体管的超快速热载流子注入效应测试系统及方法，该系统包括脉冲发生器、高速输入探针、高速输出探针、波形处理器；脉冲发生器产生电平和时间可精确控制的测量电压信号和应力电压信号施加在被测晶体管的栅极和漏极；本发明可以在极短时间内实现对饱和区漏极电流漂移的表征，测试结果受自加热影响小，显著提高电学性能退化量的测量准确性。本发明可以精确控制HCI效应的电压幅度与时间，可以表征极短时间内的HCI效应，测试灵敏度高。本发明可适用于以硅、锗、III‑V族化合物为载流子沟道的高性能平面晶体管、鳍式立体栅极和环栅‑纳米线结构的晶体管，以及以宽禁带半导体材料SiC、GaN等为沟道的功率晶体管器件的电学特性的研究。
主权项：1.一种应用于晶体管的超快速热载流子注入效应测试系统，其特征在于，该系统包括脉冲发生器、高速输入探针、具有信号调制功能的高速输出探针、波形处理器和系统控制单元；所述脉冲发生器具有两通道同步复制输出功能，第一通道产生电平和时间可精确控制的测量电压信号和应力电压信号，通过所述高速输入探针向被测晶体管的栅极上施加栅极电压信号；第二通道产生与第一通道形状完全相同且时钟同步的电压信号经由所述高速输出探针施加在被测晶体管的漏极；同时，所述高速输出探针将被测晶体管响应的漏极电流信号无失真地实时传输到波形处理器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华东师范大学 一种应用于晶体管的超快速热载流子注入效应测试系统及方法
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