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申请/专利权人：光驰半导体技术(上海)有限公司
摘要：本发明提供一种耐电击及耐激光损伤膜的镀膜方法和设备，方法包括：S1：对镀膜基底进行预处理，将预处理后的镀膜基底至于真空反应室内；S2：输入臭氧至真空反应室内预处理后的镀膜基底表面；S3：输入铪源至真空反应室内，调控真空反应室内温度以及压强，以实时动态最优温度控制真空反应室内的反应温度进行等离子体反应；S4：重复S2‑S3步骤500次，在镀膜基底表面镀上HfO2氧化薄膜，完成镀膜。本发明可实现在高纵横比结构中的均匀沉积，并实现原子水平上精确的厚度控制。本发明通过控制臭氧以及铪源的通入时间，进而能够灵活调节沉积材料的在等离子体反应过程中组成占比，实现精确实现原子沉积得到的薄膜成分控制。
主权项：1.耐电击及耐激光损伤膜的镀膜方法，所述方法基于原子沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：对镀膜基底进行预处理，将预处理后的镀膜基底至于真空反应室内；S2：输入臭氧至所述真空反应室内预处理后的镀膜基底表面；S3：输入铪源至所述真空反应室内，调控所述真空反应室内温度以及压强，以实时动态最优温度控制所述真空反应室内的反应温度进行等离子体反应；S4：重复所述S2-S3步骤500次，在所述镀膜基底表面镀上HfO2氧化薄膜，完成镀膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 光驰半导体技术(上海)有限公司 耐电击及耐激光损伤膜的镀膜方法及设备
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