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申请/专利权人：金阳(泉州)新能源科技有限公司
摘要：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种联合钝化背接触电池及其制备方法，包括如下步骤：S3、在第一本征多晶硅层外表面涂覆掺碳磷浆料，形成浆料层；掺碳磷浆料的制备过程包括：先将含磷酸、碳纳米管粉末的水溶液经喷雾干燥法制备碳包磷粉末颗粒；之后将碳包磷粉末颗粒与有机溶剂、增稠剂混合，得到掺碳磷浆料；S4、在第一本征多晶硅层及其对应浆料层的预设半导体区域外表面进行激光选择性掺杂至形成N型多晶硅、氧化硅掩膜层；无氧化硅掩膜层的区域为第二半导体开口区。本发明能够得到磷和碳掺杂均匀的N型多晶硅，提高N型多晶硅的钝化水平和耐腐蚀能力，同时能够在较薄N型多晶硅的情况下，获得较好的钝化效果，提升电池转换效率。
主权项：1.一种联合钝化背接触电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、提供硅片；S2、采用LPCVD技术，在硅片背面依次形成第一隧穿氧化层、第一本征多晶硅层；第一本征多晶硅层厚度为30-50nm；S3、在第一本征多晶硅层外表面涂覆掺碳磷浆料，形成浆料层；掺碳磷浆料的制备过程包括：先将含磷酸、碳纳米管粉末的水溶液经喷雾干燥法制备碳包磷粉末颗粒；之后将碳包磷粉末颗粒与有机溶剂、增稠剂混合，得到掺碳磷浆料；其中，所述含磷酸、碳纳米管粉末的水溶液中包含如下重量份的组分：磷酸5-10份，碳纳米管粉末8-15份，去离子水50-70份；S4、在第一本征多晶硅层及其对应浆料层的预设半导体区域外表面进行激光选择性掺杂至形成N型多晶硅、氧化硅掩膜层；无氧化硅掩膜层的区域为第二半导体开口区；S5、然后进行制绒清洗，之后根据需要选择是否进行经过清洗去除硅片背面第二半导体开口区外的氧化硅掩膜层的步骤；S7、在背面沉积第二半导体层，第二半导体层包含本征非晶硅层与P型掺杂硅层。
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权利要求：
百度查询： 金阳(泉州)新能源科技有限公司 一种联合钝化背接触电池及其制备方法
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