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申请/专利权人：金阳(泉州)新能源科技有限公司

摘要：本发明公开了一种电池生产工艺、背接触电池以及光伏组件，涉及背接触电池技术领域。该电池生产工艺通过先同时对硅片的正面和背面进行沉积并形成多晶硅层，后漂洗去除位于硅片正面的部分多晶硅层的方式，以使位于硅片正面和背面的多晶硅层的厚度不同，从而实现硅片两面不同厚度的多晶硅层的沉积，提高沉积效率，降低设备成本，缩短生产周期，提高经济效益，并且通过高温扩散以及之后的激光掺杂实现硅片正面和背面的多晶硅层不同浓度的掺杂，提高转化效率，进一步地降低了设备成本，提高了经济效益。

主权项：1.一种电池生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1.提供双面抛光的硅片；S2.在所述硅片的背面沉积保护层；S3.通过制绒清洗，在所述硅片的正面形成绒面，之后去除所述保护层；S4.通过低压化学气相沉积，同时在所述硅片的背面和正面分别沉积第一半导体层和第二半导体层，其中，所述第一半导体层包括依次设置的第一隧穿氧化层、第一多晶硅层、第一氧化阻挡层和第二多晶硅层，所述第二半导体层包括依次设置的第二隧穿氧化层、第三多晶硅层、第二氧化阻挡层和第四多晶硅层，所述第一多晶硅层和所述第三多晶硅层的厚度相同，所述第二多晶硅层和所述第四多晶硅层的厚度相同；S5.漂洗去除所述第四多晶硅层，使得位于所述硅片正面和背面的多晶硅层的厚度不同；S6.同时对所述第一多晶硅层、所述第二多晶硅层和所述第三多晶硅层进行高温扩散，以分别形成第一掺杂层、第二掺杂层和第三掺杂层；S7.通过激光掺杂，去除所述第一氧化阻挡层，并对所述第一掺杂层和所述第二掺杂层进行二次掺杂，以形成组合掺杂层，其中，所述组合掺杂层的磷掺杂浓度为1e20cm-3-5e20cm-3，所述组合掺杂层和所述第三掺杂层的掺杂浓度不同；S8.清洗去除所述第二氧化阻挡层和所述组合掺杂层上因S6高温扩散而产生的磷硅玻璃层，同时去除所述第二氧化阻挡层；S9.在所述第三掺杂层上形成减反层，之后在所述组合掺杂层上形成掩膜层；S10.在所述第一隧穿氧化层、所述组合掺杂层和所述掩膜层上进行刻蚀开口，形成第一开口区；S11.漂洗去除所述第一开口区内残留的所述第一隧穿氧化层、所述组合掺杂层和所述掩膜层，之后清洗去除所述第一开口区外的所述掩膜层；S12.在所述硅片的背面沉积第三半导体层，以使所述第三半导体层一部分覆盖于所述第一半导体层远离所述硅片的一侧，另一部分伸入所述第一开口区，且覆盖于所述硅片上，所述第三半导体层包括依次设置的本征非晶硅层和第四掺杂层。

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