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申请/专利权人：杭州合盛微电子有限公司
摘要：本申请公开了半导体器件接触孔的制备方法，包括以下步骤：S1.提供待制备接触孔的晶圆基底，在晶圆基底上形成光刻胶层；S2.对光刻胶层行曝光和显影处理，制得初始接触孔，初始接触孔底部的宽度大于顶部的宽度；S3.以形成初始接触孔的光刻胶层为掩膜板刻蚀晶圆基底，在初始接触孔下方的晶圆基底上形成接触孔。本申请的接触孔制备方法，有利于得到开口尺寸较大的接触孔，从而有利于改善金属材料在接触孔内的填充，减少空洞的产生。
主权项：1.一种半导体器件接触孔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.提供待制备接触孔的晶圆基底，在所述晶圆基底上形成光刻胶层；S2.对所述光刻胶层行曝光和显影处理，制得初始接触孔，所述初始接触孔底部的宽度大于顶部的宽度；S3.以形成所述初始接触孔的所述光刻胶层为掩膜板刻蚀所述晶圆基底，在所述初始接触孔下方的所述晶圆基底上形成接触孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州合盛微电子有限公司 半导体器件接触孔的制备方法
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