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申请/专利权人：金阳(泉州)新能源科技有限公司

摘要：本发明公开了一种背接触电池的制备方法、背接触电池以及光伏组件，涉及背接触电池技术领域。该背接触电池的制备方法在制绒后保留掩膜层（掺杂有氮和或碳的第一磷硅玻璃层）再进行正面镀膜，之后进行刻蚀开口，利用完整的掩膜层对第一半导体层进行保护。能够在正面镀膜过程中防止第一半导体层受到刮擦损伤或者高温影响，提高电池的钝化性能和开路电压，还能够在清洗去除绕镀过程中防止第一半导体层受清洗溶液腐蚀，进一步地提高电池的钝化性能和开路电压，而采用掺杂有氮和或碳的第一磷硅玻璃层作为掩膜层，致密程度较高，耐腐蚀性能较强，能够提高对第一半导体层的保护效果。

主权项：1.一种背接触电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.提供双面抛光的硅片；S2.在所述硅片的背面沉积第一半导体层，所述第一半导体层包括依次设置的第一隧穿氧化层、本征多晶硅层、第一掺杂层和第二掺杂层，之后对所述第一半导体层进行退火，将所述第二掺杂层转化为掩膜层，其中，所述第二掺杂层中掺杂有氮和或碳，所述掩膜层为掺杂有氮和或碳的第一磷硅玻璃层；S2包括：通入笑气，并在开启辉光的条件下反应形成所述第一隧穿氧化层，所述第一隧穿氧化层的厚度为1nm-2nm；通入硅烷和氢气，并在开启辉光的条件下反应形成所述本征多晶硅层，所述本征多晶硅层的厚度为10nm-30nm；通入硅烷、磷烷和氢气，并在开启辉光的条件下反应形成所述第一掺杂层，所述第一掺杂层的厚度为30nm-100nm，形成所述第一掺杂层的反应条件为：硅烷流量为1000sccm-3000sccm，磷烷流量为1000sccm-2000sccm，氢气流量为7000sccm-9000sccm，反应时间为200s-800s，反应压力为300Pa-500Pa，反应功率为3000W-5000W；通入硅烷、磷烷、氢气，并通入氮气和或甲烷，在开启辉光的条件下反应形成所述第二掺杂层，所述第二掺杂层的厚度为10nm-30nm，形成所述第二掺杂层的反应条件为：硅烷流量为1000sccm-3000sccm，磷烷流量为2000sccm-3000sccm，氢气流量为7000sccm-9000sccm，氮气流量为1000sccm-3000sccm，甲烷流量为500sccm-1000sccm，反应时间为100s-300s，反应压力为300Pa-500Pa，反应功率为3000W-5000W；通入氧气，并对所述第一半导体层进行高温退火，以使所述第二掺杂层转化为所述掩膜层，所述掩膜层的厚度为30nm-50nm；S3.清洗去除所述硅片的正面因S2退火而产生的氧化层；S4.通过制绒清洗，在所述硅片的正面形成绒面；S5.在所述硅片的正面进行沉积和退火，以形成钝化层，所述钝化层包括依次设置的第二隧穿氧化层和第三掺杂层；S6.清洗去除所述钝化层上因S5沉积而产生的第二磷硅玻璃层，之后在所述钝化层上形成减反层；S7.在所述第一半导体层、所述掩膜层以及因S6沉积而产生的绕镀层上进行刻蚀开口，形成第一开口区；S8.去除所述第一开口区内所述硅片上因S7刻蚀而产生的损伤层，同时去除所述绕镀层，其中，通过制绒清洗或者抛光清洗去除所述损伤层和所述绕镀层，制绒清洗采用的制绒液以及抛光清洗采用的抛光溶液中含有氢氧化钾或氢氧化钠，且氢氧化钾或氢氧化钠的质量百分含量在3%以下；S9.清洗去除所述掩膜层，之后采用RCA溶液回洗；S10.在所述硅片的背面沉积第二半导体层，以使所述第二半导体层一部分覆盖于所述第一半导体层远离所述硅片的一侧，另一部分伸入所述第一开口区，且覆盖于所述硅片上，所述第二半导体层包括依次设置的本征非晶硅层和第四掺杂层。

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