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申请/专利权人：京瓷株式会社
摘要：串联二极管TD具有：第1肖特基势垒二极管D1，相对于电流被反向连接；第2肖特基势垒二极管D2，与第1肖特基势垒二极管串联连接，相对于电流被反向连接，第1肖特基势垒二极管以及第2肖特基势垒二极管分别具有如下结构：在形成肖特基结SB的金属层1与半导体层2之间的一部分的区域具有绝缘体层3，并流过反向的隧道电流。
主权项：1.一种串联二极管，具有：第1肖特基势垒二极管，相对于电流被反向连接；和第2肖特基势垒二极管，与所述第1肖特基势垒二极管串联连接，相对于电流被反向连接，所述第1肖特基势垒二极管以及所述第2肖特基势垒二极管分别在形成肖特基结的金属层与半导体层之间的一部分的区域具有绝缘体层，所述第1肖特基势垒二极管以及所述第2肖特基势垒二极管分别具有：所述金属层与所述半导体层的肖特基结在反向电压施加时处于击穿前的状态时，流过通过所述绝缘体层的反向漏电流的反向电压电流特性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 京瓷株式会社 串联二极管、电路以及电气装置
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