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摘要：本公开公开一种半导体元件及其制备方法。半导体元件包括一基底；一底部内连接层，其设置于该基底中；一底部介电层，其设置于该基底上；一内连接结构，其沿着该底部介电层设置，设置于该底部内连接层上，并设置于该底部介电层上；一顶部胶合层，其共形地设置于该底部介电层与该内连接结构上；一顶部介电层，其围绕该顶部胶合层设置。该顶部胶合层的顶面与顶部介电层的顶面实质上共平面。该顶部介电层是多孔的。
主权项：1.一种半导体元件，包括：一基底；一底部内连接层，其设置于该基底中；一底部介电层，其设置于该基底上；一内连接结构，其沿着该底部介电层设置，设置于该底部内连接层上，并设置于该底部介电层上；一顶部胶合层，其共形地设置于该底部介电层与该内连接结构上；一顶部介电层，其围绕该顶部胶合层设置；其中该顶部胶合层的顶面与顶部介电层的顶面实质上共平面；其中该顶部介电层是多孔的。
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百度查询： 南亚科技股份有限公司 具有多孔层的半导体元件
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